CY- MIOP500 為高真空多弧離子鍍膜儀，利用電弧放電將導(dǎo)電材料離子化，利用其繞射性好的優(yōu)勢，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上（特別是泡沫鎳等多孔基底），制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。主要由鍍膜室、多弧靶、多弧電源、脈沖偏壓電源、樣品臺、加熱、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏半自動控制系統(tǒng)等組成；該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。該系列設(shè)備廣泛應(yīng)用于高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)以及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等，深受廣大用戶好評。

高真空多弧離子鍍膜儀主要用途: 

制備多元非晶合金,制備金屬化合物，如氧化物和氮化物薄膜（氧氣或氮?dú)夥諊?制備納米顆粒催化劑膜,用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜。

高真空多弧離子鍍膜儀主要技術(shù)參數(shù)：

1.真空腔室	Ф500×H420mm，304 上等不銹鋼，前開門結(jié)構(gòu)； 腔室加熱溫度：室溫～350±1℃；
2.真空系統(tǒng)	復(fù)合分子泵+直聯(lián)旋片泵+高真空閥門組合的高真空系統(tǒng)，數(shù)顯復(fù)合真空計(jì)；
3.真空極限	優(yōu)于 6.0×10-5Pa（空載，經(jīng)烘烤除氣后）；
4.漏率	設(shè)備升壓率≤0.8Pa/h； 設(shè)備保壓：停泵 12 小時(shí)候后，真空≤10Pa；
5.抽速	(空載）從大氣抽至 5.0×10-3Pa≤15min；
6.基片臺尺寸	Φ150mm，自轉(zhuǎn)工位 3 個(gè)；
7.基片臺旋轉(zhuǎn)	基片旋轉(zhuǎn)：0～20 轉(zhuǎn)/分鐘；
8.濺射靶	DN100 新型磁過濾多弧靶 2 套
9.脈沖偏壓電源	-1000V，1 套；
11.控制方式	PLC+觸摸屏人機(jī)界面半自動控制系統(tǒng)；
12.報(bào)警及保護(hù)	對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施；完善 的邏輯程序互鎖保護(hù)系統(tǒng)；
13.占地	(主機(jī)）L1900×W800×H1900(mm)。